买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM25GD120DN2 IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSM25GD120DN2

库存数量：45
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 2.5 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
栅极—射极漏泄电流 180 nA
功率耗散 200 W
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 EconoPACK 2A
封装
相关资料
属性
链接
代理商 BSM25GD120DN2
BSM25GD120DN2E3224
BSM25GD120DN2E3224[6]
BSM25GP120
BSM25GP120_B2
BSM294F
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  • BSM25GD120DN2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 154.988 154.988
    10 143.244 1432.44
    50 131.79 6589.5